福建中伟半导体材料有限公司高纯化合物高纯金属固态电解质材料

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锑化铋

锑化物

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<p>分子式：BiSb</p><p>英文名：BISMUTH ANTIMONIDE</p><p>分子量：330.74</p><p>CAS号:12323-19-2</p><p>熔点：475℃</p><p>外观：灰黑色固体</p><p>纯度：3N~6N</p>
锑化镓

锑化物

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<p>分子式：GaSb</p><p>英文名：Gallium antimondle</p><p>分子量：191.481</p><p>CAS号：12064-03-8</p><p>外观：黑色块状</p><p>熔点：706℃</p><p>纯度：99.99~99.9999%</p><p>用途：化合物半导体材料、光纤通信、衬底材料、高频器件、太阳能薄膜等；</p>
锑化铟

锑化物

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<p>分子式：InSb</p><p>英文名：Indium antimonide</p><p>分子量：236.578</p><p>CAS号：1312-41-0</p><p>外观：晶体状,有银色金属光泽</p><p>纯度：3N(99.9%)~6N(99.9999%)</p><p>检测：根据相应检测报告</p><p>包装：真空袋装或者真空瓶装，也可根据客户要求包装</p><p>用途：霍尔元件，制作波长为3～5μｍ的红外探测器的重要材料，用于制光伏型或光导型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。<br/></p>

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